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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：130，"10+"：26145，"11+"：14322，"12+"：54870，"13+"：5326，"14+"：27000，"16+"：3000，"17+"：303694，"MI+"：6060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：130，"10+"：26145，"11+"：14322，"12+"：54870，"13+"：5326，"14+"：27000，"16+"：3000，"17+"：303694，"MI+"：6060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18916，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18916，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8884
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€18W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：685pF@15V
连续漏极电流：9A€15A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA28BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€17W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@15V
连续漏极电流：18A€38A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
