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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4842
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4620
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4466
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4620
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7408
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€11W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：10A€18A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP34M4SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：135A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6407
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€83W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@15V
连续漏极电流：32A€85A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7408
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€11W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：10A€18A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6407
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€83W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@15V
连续漏极电流：32A€85A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP34M4SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：135A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6407
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€83W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@15V
连续漏极电流：32A€85A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4842
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP34M4SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：135A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6407
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€83W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@15V
连续漏极电流：32A€85A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6407
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€83W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@15V
连续漏极电流：32A€85A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP34M4SPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：127nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@15V
连续漏极电流：135A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4620
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4620
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4483ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€5.9W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：19.2A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6407
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€83W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@15V
连续漏极电流：32A€85A
类型：P沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
