采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB120EPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB120EPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€4.46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7401_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"22+"：37676}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB120EPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4459
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@6.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
