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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 30V
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 1.4A
    当前匹配商品:200+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS351AN 起订33个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS351AN 起订33个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS351AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:145pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN361BN 起订986个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN361BN 起订986个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":12000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN361BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订31个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订31个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD316SNH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSD316SNH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSD316SNH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61N03FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61N03FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@25V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@910mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A13FTA 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP3A13FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:206pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:210mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1308EDL-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1308EDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:132mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订200个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订200个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订15000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订15000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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