品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21307
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€28W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1995pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8788TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8788TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:29.8W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8788TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1515pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€27.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:21mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8788TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.35V@100µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@24A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1720pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: