采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.18W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：126.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6234pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP32314
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@15V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3010LPS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：2.18W
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：126.2nC@10V
阈值电压：2.1V@250µA
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
输入电容：6234pF@15V
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6673BZ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：14.5A
类型：P沟道
栅极电荷：124nC@10V
功率：2.5W
导通电阻：7.8mΩ@14.5A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
