采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6809_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：04+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3403
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6809_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3403A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3403A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3067LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@10V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3409A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS4111PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
