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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A14FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：448pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB65ENEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：67mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS1503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3115UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
