品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:750mΩ@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UM6K1NA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:28pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:750mΩ@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4003NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:690mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:1.15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21pF@5V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIUD401ED-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:P沟道
导通电阻:1.573Ω@200mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: