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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V€670pF@15V
连续漏极电流：3.98A€3.36A
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
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功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V€670pF@15V
连续漏极电流：3.98A€3.36A
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
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功率：870mW
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规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
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功率：870mW
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功率：870mW
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功率：870mW
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漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
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功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流：2.17A€1.64A
导通电阻：125mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：430pF@15V€670pF@15V
连续漏极电流：3.98A€3.36A
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V€670pF@15V
连续漏极电流：3.98A€3.36A
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：430pF@15V€670pF@15V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流：2.17A€1.64A
导通电阻：125mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V€670pF@15V
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导通电阻：33mΩ@5A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
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导通电阻：125mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V€670pF@15V
连续漏极电流：3.98A€3.36A
导通电阻：33mΩ@5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V€204pF@15V
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：2.17A€1.64A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
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包装方式：卷带（TR）
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流：2.17A€1.64A
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
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规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V€204pF@15V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3A01N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V€204pF@15V
连续漏极电流：2.17A€1.64A
导通电阻：125mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMHC3F381N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@15V€670pF@15V
连续漏极电流：3.98A€3.36A
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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