品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4804CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:22mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4354
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@15V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32314
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1420pF@15V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407AL
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7810
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4922BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2070pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4447A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5500pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@100µA
栅极电荷:58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:21A€40A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5729}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH7914TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.35V@25µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@15V
连续漏极电流:15A€35A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4466
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:448pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32368
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2270pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4496
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4468
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4459
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:830pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:46mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4468
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4405
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:21A€40A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7804
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:888pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@100µA
栅极电荷:58nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:21A€40A
类型:P沟道
导通电阻:4.6mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4404B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:08+
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4468
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@11.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1825
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: