品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9321TRPbF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@50µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3009SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":37880,"23+":11218}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381P
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4442DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@22A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":2155}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8854
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
输入电容:3405pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9321TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7892BDP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UTS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8896
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3020UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.03W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1304pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87381PT
工作温度:-55℃~150℃
功率:4W
阈值电压:1.9V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:564pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:16.3mΩ@8A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: