采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
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连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
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输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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功率：291W
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栅极电荷：109nC@10V
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输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
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输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：300A
栅极电荷：109nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@1mA
功率：291W
输入电容：7668pF@15V
ECCN：EAR99
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4982NFT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@15V
连续漏极电流：26.5A€207A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN0R9-30YLDX
工作温度：-55℃~150℃
功率：291W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7668pF@15V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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