品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":6834}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM018NA03CR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3479pF@15V
连续漏极电流:185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@29A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1667,"12+":21795,"13+":31636,"14+":21000,"15+":60000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:4105pF@15V
连续漏极电流:21A€42A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":6834}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":6834}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1667,"12+":21795,"13+":31636,"14+":21000,"15+":60000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:4105pF@15V
连续漏极电流:21A€42A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":1667,"12+":21795,"13+":31636,"14+":21000,"15+":60000,"MI+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7670
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€62W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:4105pF@15V
连续漏极电流:21A€42A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: