采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：1896，"14+"：22250，"18+"：71990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：3000，"16+"：22899，"19+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3F30FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：318pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3418
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS4930NTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：476pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
