采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS66DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3327pF@15V
连续漏极电流：49.1A€178.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS66DN-T1-GE3
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3327pF@15V
连续漏极电流：49.1A€178.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.38mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：85.5nC@10V
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输入电容：3327pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：1.38mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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功率：5.1W€65.8W
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栅极电荷：85.5nC@10V
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输入电容：3327pF@15V
连续漏极电流：49.1A€178.3A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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