品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":75000,"16+":4550,"22+":136500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":668206}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NT1G-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:8.2A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG315N
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":273,"20+":1418,"21+":1227,"22+":17322}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":273,"20+":1418,"21+":1227,"22+":17322}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:7.2A€38A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@15V
连续漏极电流:3.16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:225pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: