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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
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功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
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输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：ZXMN3A02X8TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.8nC@10V
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输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：2.4A
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连续漏极电流：17.1A€46.2A
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导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
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规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
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输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：17.1A€46.2A
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导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
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栅极电荷：12.6nC@10V
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
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导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.6nC@10V
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输入电容：600pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：22.6nC@10V
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连续漏极电流：17.1A€46.2A
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导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.6nC@10V
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输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.9nC@10V
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3006LDK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@15V
连续漏极电流：17.1A€46.2A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A03E6TA
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功率：1.1W
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
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连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A02X8TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.8nC@10V
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输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01E6TA
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功率：1.1W
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A02X8TA
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功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：26.8nC@10V
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输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMN3A02X8TA
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连续漏极电流：5.3A
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导通电阻：25mΩ@12A，10V
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输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
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