品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87353Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87353Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):CSD87353Q5D
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功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):CSD87353Q5D
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功率:12W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3190pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):CSD87353Q5D
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功率:12W
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连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
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功率:12W
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功率:12W
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功率:12W
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类型:2个N通道(半桥)
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功率:12W
包装方式:卷带(TR)
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