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    当前匹配商品:1700+
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    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMS 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMS 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87313DMS

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.25V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4290pF@15V

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€63W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87331Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87331Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V€1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:518pF@15V

    连续漏极电流:15A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€36W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q5A 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€42W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:22.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17505Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17505Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@15V

    连续漏极电流:24A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17556Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17556Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€191W

    阈值电压:1.65V@250µA

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7020pF@15V

    连续漏极电流:34A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17559Q5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:1.7V@250µA

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A 起订12个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17577Q3A 起订12个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17577Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€53W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2310pF@15V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17506Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17506Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17581Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17581Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@15V

    连续漏极电流:24A€123A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87355Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87355Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1860pF@15V

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17559Q5 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17559Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€96W

    阈值电压:1.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9200pF@15V

    连续漏极电流:40A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17573Q5BT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17573Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€195W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:64nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17501Q5A 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17501Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2630pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17570Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17570Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:121nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13600pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.69mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17308Q3 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17308Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@10A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17307Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17307Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:14A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@11A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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