品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6661
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6661
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0109N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509K1-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:0824
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6661
工作温度:-55℃~150℃
功率:725mW€6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:管件
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:860mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6661
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1418
销售单位:个
规格型号(MPN):2N6661
工作温度:-55℃~150℃
功率:725mW€6.25W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:管件
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:860mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:90V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):2N6661
漏源电压:90V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
阈值电压:2V@1mA
功率:6.25W
包装方式:袋
输入电容:50pF@24V
连续漏极电流:350mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DN1509K1-G
功率:490mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
漏源电压:90V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:150pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6Ω@200mA,0V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: