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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~150℃
    连续漏极电流: 30A
    当前匹配商品:800+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB30NF20 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125P6XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R125P6XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R125P6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:219W

    阈值电压:4.5V@960µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2660pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF099N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF099N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF099N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4.5V@3mA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2310pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7738DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7738DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@75V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP250PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP250PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP250PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@18A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1931pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7336ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR426DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR426DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3036SFV-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3036SFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1931pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030KNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030KNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2350pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB110N65S3F 起订107个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30025}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB110N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240W

    阈值电压:5V@3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2560pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP30NF20 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP30NF20 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP30NF20

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1597pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N60DM6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1851pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT095N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@2.8mA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2833pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R125C6XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R125C6XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R125C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.5V@960µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2127pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订84个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT095N65S3H 起订84个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":798}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT095N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@2.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2833pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3009LDT-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3009LDT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:11.1mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125C6ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R125C6ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R125C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:219W

    阈值电压:3.5V@960µA

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2127pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS890DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS890DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:802pF@50V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:23.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIZ322DT-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIZ322DT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16.7W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@12.5V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.35mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4011LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4011LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:767pF@20V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 BUZ11-NR4941 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ11-NR4941

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@15A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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