采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1597pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR426DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30025}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB110N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2560pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4011LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR424DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF20
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1597pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@15A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4011LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS890DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：802pF@50V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4011LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5690
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7738DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€96W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@7.7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA10DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB110N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@740µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2635pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R125C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：219W
阈值电压：3.5V@960µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
