采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU30P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU30P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU30P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU30P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU30P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU30P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3036SFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1931pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS435DNT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：5.4mΩ@13A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
