品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":14636}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":14194,"08+":50,"09+":822}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
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功率:2.7W€156W
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
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功率:2.7W€156W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
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连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€96.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:54nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
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类型:N沟道
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漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
栅极电荷:64nC@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
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漏源电压:120V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
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类型:N沟道
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漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
栅极电荷:64nC@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
输入电容:4250pF@60V
漏源电压:120V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
栅极电荷:64nC@10V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
输入电容:4250pF@60V
漏源电压:120V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4108NT1G
输入电容:6000pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
功率:1.1W€96.2W
栅极电荷:54nC@4.5V
导通电阻:2.2mΩ@21A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: