采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9600S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1705pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9600S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1705pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9600S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1705pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS9600S
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1705pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.5mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：12A€16A
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2个N通道（半桥）
输入电容：435pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIZ704DT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：24mΩ@7.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7208S
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@15V
连续漏极电流：12A€16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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