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    INFINEON Mosfet场效应管 ISP25DP06LMXTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP25DP06LMXTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP25DP06LMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI5618-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI5618-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5618-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9210TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9210TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9210TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@40V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9210TRPBF 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9210TRPBF 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9210TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:3Ω@1.1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL014NTRPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFL014NTRPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2A01FTA 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN2A01FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:303pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP171PH6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP171PH6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP171PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订13个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订13个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP170PH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP170PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:410pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@40V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订9个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN357N 起订9个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN357N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订354个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订354个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP171PH6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP171PH6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP171PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@460µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP25DP06LMXTSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISP25DP06LMXTSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISP25DP06LMXTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W€5W

    阈值电压:2V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7465TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7465TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7465TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@1.14A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV213SN,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV213SN,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@20V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7465TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7465TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7465TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@1.14A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6306P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:441pF@10V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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