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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU9210PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：235pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N60CTU
连续漏极电流：1.9A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：4.7Ω@950mA，10V
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
输入电容：235pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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