采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG311N
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@4.5V
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@1.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K8CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：150000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R3K3P7AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：18W
阈值电压：3.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：120pF@500V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@590mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.9A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：999，"19+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU80R2K8CEAKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB215ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€15.6W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@40V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@1.9A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN357N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：5.9nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：10，"20+"：4940，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K8CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7465TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@1.14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV213SN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@20V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7465TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@1.14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R2K8CEATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3.9V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@100V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@1.1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.9A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7465TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@1.14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL014NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.9A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7465TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@1.14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7400_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：447pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7465TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@1.14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A01FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
