采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4.6V@91µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@75V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@35A，10
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2118pF@30V
漏源电压：60V
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
阈值电压：4.6V@91µA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：11mΩ@35A，10
功率：125W
输入电容：2100pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0403NSATMA1
阈值电压：4.6V@91µA
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：28nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：11mΩ@35A，10
功率：125W
输入电容：2100pF@75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：2118pF@30V
漏源电压：60V
功率：125W
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
功率：125W
栅极电荷：32nC@10V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
输入电容：2270pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCB70N10YB-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2270pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
