采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：38722，"14+"：70000，"15+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：38722，"14+"：70000，"15+"：60000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB790SN，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@30V
连续漏极电流：650mA
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：300pF@25V
功率：740mW
包装方式：袋
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
阈值电压：3.5V@10mA
连续漏极电流：650mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN32D4SDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：650mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：400mΩ@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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