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    类型: N沟道
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    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:2000+
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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

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    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

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    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STB13N60M2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB13N60M2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB13N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS127SSN-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS127SSN-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS127SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:610mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.08nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.8pF@25V

    连续漏极电流:50mA

    类型:N沟道

    导通电阻:160Ω@16mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60ND 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60ND

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:577pF@50V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN60H080DS-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN60H080DS-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN60H080DS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:80mA

    类型:N沟道

    导通电阻:100Ω@60mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R040CFD7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R040CFD7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R040CFD7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@1.25mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4351pF@400V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@24.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM1NB60CW RPG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM1NB60CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:6.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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