品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB95ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:504pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@2.8A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC117N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8008LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€23.5W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2254pF@40V
连续漏极电流:16A€48A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM089N08LCR RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6119pF@40V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR680DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5150pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR580DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@40V
连续漏极电流:35.8A€146A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC117N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€50W
阈值电压:3.8V@22µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@40V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB360ENEAZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€6.25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@40V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@1.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC025N08LS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.3V@115µA
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMB055N08NS1_R2_00601
工作温度:-55℃~150℃
功率:113.6W
阈值电压:3.75V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@7V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4773pF@40V
连续漏极电流:108A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@40V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR5802DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@40V
连续漏极电流:33.6A€137.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7280
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.3W€83W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1871pF@40V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D2N08H
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€300W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:147nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@40V
连续漏极电流:41A€335A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@90A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86320
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@40V
连续漏极电流:10.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@10.5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86324
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7852DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.6A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@40V
连续漏极电流:74A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@37A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N08NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€139W
阈值电压:3.8V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:76nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4896DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: