品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPG30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.5V@70µA
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178pF@100V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2392ADS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@50V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:126mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":45500,"13+":33100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF03N60ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1004
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBG30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:980pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1.9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.5V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:178pF@100V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@900mA,13V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFR320TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI830GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1004
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR320TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@1.9A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存: