首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM190N08CZ C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM190N08CZ C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8600pF@30V

    连续漏极电流:190A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@90A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM190N08CZ C0G 起订1个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM190N08CZ C0G 起订1个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:160nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8600pF@30V

    连续漏极电流:190A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@90A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM190N08CZ C0G 起订50个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM190N08CZ C0G 起订50个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G

    漏源电压:75V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.2mΩ@90A,10V

    功率:250W

    输入电容:8600pF@30V

    连续漏极电流:190A

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    栅极电荷:160nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW12N120K5
    ST Mosfet场效应管 STW12N120K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12N120K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:44.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:690mΩ@6A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG16N50C-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG16N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW30N80K5
    ST Mosfet场效应管 STW30N80K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW30N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1530pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@12A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3405pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:112mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW20N90K5
    ST Mosfet场效应管 STW20N90K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW20N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@10A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP25N80K5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STP25N80K5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP25N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:19.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@19.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP21N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP21N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP21N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@100V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@9A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2
    ST Mosfet场效应管 STW40N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG20N50C-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG20N50C-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG20N50C-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2942pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHB28N60EF-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHB28N60EF-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SiHB28N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2714pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP065N60E-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP065N60E-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2700pF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG068N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:41A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG
    ST Mosfet场效应管 STW45N60DM2AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW45N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    加购:600
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP35N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP35N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2568pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:97mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40N60M2
    ST Mosfet场效应管 STP40N60M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:88mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW12N120K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW12N120K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW12N120K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:44.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1370pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:690mΩ@6A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP45N40DM2AG
    ST Mosfet场效应管 STP45N40DM2AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N40DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@19A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:50
    ST Mosfet场效应管 STP45N40DM2AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N40DM2AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N40DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@19A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧