采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2215L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9214PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@1.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2200，"20+"：3000，"22+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMFPB8032XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：485mW€6.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：102mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：307000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4149PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：960pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2215L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2215L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：5.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1467DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1469DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W€2.78W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1.2V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@12V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
