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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
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功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
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连续漏极电流：67.4A€19.6A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
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功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
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功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
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导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
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功率：57W€4.8W
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栅极电荷：33.5nC@4.5V
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连续漏极电流：67.4A€19.6A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
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栅极电荷：33.5nC@4.5V
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连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
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连续漏极电流：67.4A€19.6A
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导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
栅极电荷：33.5nC@4.5V
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
功率：57W€4.8W
漏源电压：70V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
栅极电荷：33.5nC@4.5V
阈值电压：1.6V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
功率：57W€4.8W
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN7A11GTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：7.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@40V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@10V，4.4A
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS178LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€39W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：28.5nC@10V
输入电容：1.135nF@35V
连续漏极电流：13.9A€45.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
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