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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL31N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€125W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1865pF@100V
连续漏极电流：2.8A€15A
类型：N沟道
导通电阻：162mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
连续漏极电流：17.3A
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
工作温度：150℃
功率：156W
输入电容：1800pF@300V
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：3.5V@900µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB31N65M5
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1865pF@100V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：148mΩ@11A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16N65M5
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
