销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV49，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122-TP

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：1.5W

集电集截止电流(Icbo)：10nA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2143TL

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：2A

功率：10W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV29，115

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2STBN15D100

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：12A

功率：70W

集电集截止电流(Icbo)：100µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@4mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：750@3A，3V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2990，"20+"：3000，"21+"：2758416，"22+"：88822}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV27，215

集射极击穿电压(Vceo)：30V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：20000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD122T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：8A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：4V@80mA，8A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@4A，4V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BSP52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.25W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1834T100

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：150MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@500µA，500mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，235

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MJD112T4

集射极击穿电压(Vceo)：100V

集电极电流(Ic)：2A

功率：20W

集电集截止电流(Icbo)：20µA

特征频率：25MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：3V@40mA，4A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@2A，3V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，235

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD2170T100

集射极击穿电压(Vceo)：90V

集电极电流(Ic)：2A

功率：2W

集电集截止电流(Icbo)：10µA

特征频率：80MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@1mA，1A

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：1000@1A，2V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST51，115

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BCV47，215

集射极击穿电压(Vceo)：60V

集电极电流(Ic)：500mA

功率：250mW

集电集截止电流(Icbo)：100nA

特征频率：220MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1V@100µA，100mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST50，115

集射极击穿电压(Vceo)：45V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SD1383KT146B

集射极击穿电压(Vceo)：32V

集电极电流(Ic)：300mA

功率：200mW

集电集截止电流(Icbo)：1µA

特征频率：250MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@400µA，200mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：5000@100mA，5V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BST52，115

集射极击穿电压(Vceo)：80V

集电极电流(Ic)：1A

功率：1.3W

集电集截止电流(Icbo)：50nA

特征频率：200MHz

工作温度：150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.3V@500µA，500mA

ECCN：EAR99

包装方式：卷带（TR）

晶体管类型：NPN

直流增益(hFE@Ic，Vce)：2000@500mA，10V

包装清单：商品主体 * 1