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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18000，"MI+"：9733}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP225，118
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：18000，"MI+"：9733}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP225，118
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
漏源电压：30V
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
类型：N沟道
输入电容：270pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K202FE，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
