采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R703NL，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：2.3V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@15V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@22.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
