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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：98631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1434-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：98631}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
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输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
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输入电容：126pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
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功率：1W
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类型：N沟道
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功率：1W
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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功率：1W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
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栅极电荷：1.7nC@4.5V
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功率：1W
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
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漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：1.7nC@4.5V
连续漏极电流：3A
导通电阻：95mΩ@2A，10V
输入电容：126pF@15V
功率：1W
ECCN：EAR99
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3478-TL-H
工作温度：150℃
功率：800mW
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
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库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
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输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
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功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
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连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
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阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
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输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K336R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：126pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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