品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR608EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:2.3V
栅极电荷:167nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:228A
类型:MOSFET
导通电阻:1.36mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR608EP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:2.3V
栅极电荷:167nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:228A
类型:MOSFET
导通电阻:1.36mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LPDW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.67W
阈值电压:2.3V
栅极电荷:12.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
类型:MOSFET
导通电阻:12.3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):2500psc
规格型号(MPN):DMTH4008LPDW-13
功率:2.67W
栅极电荷:12.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
漏源电压:40V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:12.3mΩ
阈值电压:2.3V
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存: