包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS142ELNW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：113W

阈值电压：3.3V

栅极电荷：23nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：110A

类型：MOSFET

导通电阻：4.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：214W

阈值电压：3.5V

栅极电荷：43nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：243A

类型：MOSFET

导通电阻：2.5mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS405CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：39W

阈值电压：1V

栅极电荷：53.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：12V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA602CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：5.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：5.63A

类型：MOSFET

导通电阻：94mΩ€110mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQS414CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：33W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：18A

类型：MOSFET

导通电阻：23mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUP60020E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

栅极电荷：151.2nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：2.8mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQA470CEJW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：13.6W

阈值电压：1.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：4.6nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：2.25A

类型：MOSFET

导通电阻：65mΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM50010E-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：212nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：150A

类型：MOSFET

导通电阻：1.75mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQJB46EP-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：34W

阈值电压：3.3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：21nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：30A

类型：MOSFET

导通电阻：80mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA82CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：6.4nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：12A

类型：MOSFET

导通电阻：90MΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQSA84CENW-T1_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：27W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：14.1nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：16A

类型：MOSFET

导通电阻：32mΩ€37mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1