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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO3162 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AO3162 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3162

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.39W

    阈值电压:4.1V@8µA

    栅极电荷:0.15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6pF@25V

    连续漏极电流:34mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500Ω@16mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7113DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7113DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1480pF@50V

    连续漏极电流:13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3N60 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3N60 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3N60

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:56.8W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@1.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7611DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7611DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1980pF@20V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7112DN-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7112DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@15V

    连续漏极电流:11.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@17.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121ADN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1317DL-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1317DL-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:272pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@10V

    连续漏极电流:29.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4407SSS-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4407SSS-13

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:1.45W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2246pF@15V

    连续漏极电流:9.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7655DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7655DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:225nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD3148NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD3148NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD3148NT1G

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9933CDY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9933CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS27DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:4.8W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5250pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2N60A 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2N60A

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON7466 起订11个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7466 起订11个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7466

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:15A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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