销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：180000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：600mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：67950，"04+"：536000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"07+"：80000，"18+"：8000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"04+"：7695，"05+"：204000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：100nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：230MHz，180MHz

功率：200mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：67950，"04+"：536000}

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：22千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：500mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA

集电集截止电流(Icbo)：1µA

包装方式：卷带（TR）

电阻比：22千欧

直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：300mW

晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1