采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：150mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
功率：150mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
特征频率：250MHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
功率：187mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
输入电阻：22千欧
电阻比：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：500mW
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
功率：285mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
功率：420mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：1千欧
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
电阻比：4.7千欧
功率：500mW
输入电阻：2.2千欧
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
特征频率：225MHz，140MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
功率：290mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"15+"：9000}
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
电阻比：47千欧
输入电阻：22千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA
功率：250mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
生产批次：{"09+"：52000}
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：500mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
电阻比：4.7千欧
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：13千欧，130欧姆
功率：285mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V / 68 @ 100mA，5V
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
功率：420mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
输入电阻：1千欧
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：67898}
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
功率：500mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：2.2千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：8 @ 5mA，10V
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 5mA，10mA
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
特征频率：225MHz，140MHz
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
功率：290mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
集电极电流(Ic)：500mA
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
电阻比：10千欧
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
功率：385mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
输入电阻：47千欧，2.2千欧
电阻比：47千欧，47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
集电极电流(Ic)：100mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz，140MHz
功率：290mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧，47千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧，2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：385mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：187mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：1千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：420mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：56 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz
功率：150mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：100mV @ 2.5mA，50mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：70 @ 50mA，5V
集电极电流(Ic)：500mA
输入电阻：2.2千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：225MHz，140MHz
功率：290mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：22千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：60 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：22千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：150mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"08+"：16000，"09+"：4000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：160 @ 5mA，10V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：4.7千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：357mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：47千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：80 @ 10mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：47千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：250MHz，200MHz
功率：100mW
晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
