销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：35@5mA，10V

集电极电流(Ic)：50mA

集射极击穿电压(Vceo)：50V

功率：150mW

晶体管类型：2个NPN-预偏置

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~150℃

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV

包装方式：卷带（TR）

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10KΩ

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：NPN

包装清单：商品主体 * 1