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销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：480mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"18+"：144150}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：480mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：100nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：480mW
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包装清单：商品主体 * 1
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
输入电阻：10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
特征频率：180MHz
功率：230mW
晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"22+"：20000}
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：300mW
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极电流(Ic)：100mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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电阻比：10千欧
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直流增益(hFE@Ic，Vce)：30 @ 5mA，5V
集电极电流(Ic)：100mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
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集射极击穿电压(Vceo)：50V
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极电流(Ic)：100mA
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集电集截止电流(Icbo)：1µA
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集电极电流(Ic)：100mA
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行业应用：工业,其它
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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 500µA，10mA
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