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    品牌: ON SEMI
    行业应用: 其它
    晶体管类型: NPN-预偏压
    功率: 246mW
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi 数字晶体管 MMUN2232LT1G 起订32个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2232LT1G 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    输入电阻:4.7kΩ

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G 起订47个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2233LT1G 起订47个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G 起订26个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2234LT1G 起订26个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    输入电阻:22kΩ

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2215LT1 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订17个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订17个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2216LT1G 起订1000个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2216LT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT3G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT3G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2235LT1G 起订24个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2235LT1G 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2212LT1G 起订125个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2212LT1G 起订125个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:22kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2214LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2213LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2232LT1G 起订1500个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2232LT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):15@5mA,10V

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G 起订24个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2236LT1G 起订24个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:100kΩ

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2240LT1G 起订28个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2240LT1G 起订28个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    输入电阻:47kΩ

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    直流增益(hFE@Ic,Vce):120@5mA,10V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2211LT3G 起订49个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2211LT3G 起订49个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2241LT1G 起订13889个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2241LT1G 起订13889个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    生产批次:{"17+":72000,"12+":207000,"19+":2899,"06+":30000}

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):160@5mA,10V

    功率:246mW

    输入电阻:100kΩ

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2212LT1G 起订41个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2212LT1G 起订41个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:22kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2212LT1G 起订98个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2212LT1G 起订98个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:22kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT3G 起订30个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2211LT3G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2211LT3G 起订2000个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2211LT3G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:10kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2217LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    直流增益(hFE@Ic,Vce):35@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2235LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2231LT1G 起订30个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2231LT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:2.2kΩ

    直流增益(hFE@Ic,Vce):8@5mA,10V

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2233LT1G 起订500个装
    onsemi 数字晶体管 SMMUN2233LT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@1mA,10mA

    功率:246mW

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    输入电阻:4.7kΩ

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2212LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2212LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:22kΩ

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):60@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订200个装
    onsemi 数字晶体管 MMUN2213LT1G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    功率:246mW

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@300µA,10mA

    输入电阻:47kΩ

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    直流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2230LT1G 起订100个装
    onsemi 数字晶体管 NSVMMUN2230LT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:数字晶体管

    行业应用:工业,其它

    销售单位:

    输入电阻:1kΩ

    功率:246mW

    ECCN:EAR99

    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):250mV@5mA,10mA

    直流增益(hFE@Ic,Vce):3@5mA,10V

    晶体管类型:NPN-预偏压

    集电集截止电流(Icbo):500nA

    集射极击穿电压(Vceo):50V

    包装方式:卷带(TR)

    集电极电流(Ic):100mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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